si3n4电子式

4英寸氮化层硅片 光电子科研实验专用 氮膜层厚度SI3N4膜片现货

氮化硅陶瓷 定制坩埚内13外14.3高10mm内高强度自润滑陶瓷SI3N4

 全新原装SI2304DDS-T1-GE3 丝印P4 SOT-23 N沟道 贴片MOSFET

SI5515CDC-T1-GE3 丝印EH*** 1206-8 N/P沟道 20V 4A MOS场效应管

电脑版 | 更新时间:2025-03-29 07:49:07